搜索

SISH407DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SISH407DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212
渠道:
digikey

库存 :385

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 11.303602 11.30
10 9.930154 99.30
100 7.611091 761.11
500 6.016433 3008.22
1000 4.813146 4813.15

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 25 A

漏源电阻 9.5 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 93.8 nC

耗散功率 33 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 38 ns

正向跨导(Min) 60 S

上升时间 28 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 92 ns

典型接通延迟时间 23 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 488.500 mg

SISH407DN-T1-GE3 相关产品

SISH407DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SISH407DN-T1-GE3、查询SISH407DN-T1-GE3代理商; SISH407DN-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SISH407DN-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SISH407DN-T1-GE3 替代型号 、SISH407DN-T1-GE3 数据手册PDF

购物车

SISH407DN-T1-GE3

锐单logo

型号:SISH407DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:385 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥11.303602
10+: ¥9.930154
100+: ¥7.611091
500+: ¥6.016433
1000+: ¥4.813146

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥11.30