
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.183717 | ¥12.18 |
| 10 | ¥10.880343 | ¥108.80 |
| 25 | ¥10.324993 | ¥258.12 |
| 100 | ¥7.743744 | ¥774.37 |
| 250 | ¥7.670642 | ¥1917.66 |
| 500 | ¥6.56419 | ¥3282.09 |
| 1000 | ¥5.347235 | ¥5347.24 |
| 2500 | ¥5.273424 | ¥13183.56 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 8.7 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 43.2 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0905PNS SP005399015
单位重量 38.760 mg
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0BSZ0905PNSATMA1
型号:BSZ0905PNSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.183717 |
| 10+: | ¥10.880343 |
| 25+: | ¥10.324993 |
| 100+: | ¥7.743744 |
| 250+: | ¥7.670642 |
| 500+: | ¥6.56419 |
| 1000+: | ¥5.347235 |
| 2500+: | ¥5.273424 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.18