
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥0.969434 | ¥2423.59 |
| 5000 | ¥0.920126 | ¥4600.63 |
| 12500 | ¥0.854403 | ¥10680.04 |
| 25000 | ¥0.838307 | ¥20957.67 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 1.46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.55 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.33 ns
典型接通延迟时间 5.03 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN4800LSSL-13
型号:DMN4800LSSL-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥0.969434 |
| 5000+: | ¥0.920126 |
| 12500+: | ¥0.854403 |
| 25000+: | ¥0.838307 |
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