
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥4.072996 | ¥10182.49 |
| 5000 | ¥3.869364 | ¥19346.82 |
| 12500 | ¥3.723912 | ¥46548.90 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 38 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD053N06N SP000962138
单位重量 330 mg
购物车
0IPD053N06NATMA1
型号:IPD053N06NATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥4.072996 |
| 5000+: | ¥3.869364 |
| 12500+: | ¥3.723912 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00