
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥87.694433 | ¥87.69 |
| 10 | ¥79.194165 | ¥791.94 |
| 25 | ¥75.510716 | ¥1887.77 |
| 100 | ¥62.618642 | ¥6261.86 |
| 250 | ¥58.935192 | ¥14733.80 |
| 500 | ¥55.251743 | ¥27625.87 |
| 1000 | ¥49.726569 | ¥49726.57 |
| 2500 | ¥47.884844 | ¥119712.11 |
| 5000 | ¥45.30643 | ¥226532.15 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.2 ns
上升时间 62 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 110 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0TK065N65Z,S1F
型号:TK065N65Z,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥87.694433 |
| 10+: | ¥79.194165 |
| 25+: | ¥75.510716 |
| 100+: | ¥62.618642 |
| 250+: | ¥58.935192 |
| 500+: | ¥55.251743 |
| 1000+: | ¥49.726569 |
| 2500+: | ¥47.884844 |
| 5000+: | ¥45.30643 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥87.69