货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥76.483787 | ¥76.48 |
10 | ¥69.070172 | ¥690.70 |
25 | ¥65.857607 | ¥1646.44 |
100 | ¥54.613625 | ¥5461.36 |
250 | ¥51.401058 | ¥12850.26 |
500 | ¥48.188492 | ¥24094.25 |
1000 | ¥43.369643 | ¥43369.64 |
2500 | ¥41.76336 | ¥104408.40 |
5000 | ¥39.514564 | ¥197572.82 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.2 ns
上升时间 62 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 110 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK065N65Z,S1F
型号:TK065N65Z,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥76.483787 |
10+: | ¥69.070172 |
25+: | ¥65.857607 |
100+: | ¥54.613625 |
250+: | ¥51.401058 |
500+: | ¥48.188492 |
1000+: | ¥43.369643 |
2500+: | ¥41.76336 |
5000+: | ¥39.514564 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥76.48