货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.182749 | ¥13.18 |
10 | ¥10.832239 | ¥108.32 |
100 | ¥8.424523 | ¥842.45 |
500 | ¥7.141318 | ¥3570.66 |
1000 | ¥5.817323 | ¥5817.32 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 59 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SQS405ENW-T1_GE3
型号:SQS405ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.182749 |
10+: | ¥10.832239 |
100+: | ¥8.424523 |
500+: | ¥7.141318 |
1000+: | ¥5.817323 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.18