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起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥2.88556 | ¥2885.56 |
2000 | ¥2.716436 | ¥5432.87 |
5000 | ¥2.587051 | ¥12935.26 |
10000 | ¥2.467691 | ¥24676.91 |
25000 | ¥2.462931 | ¥61573.28 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 14 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP295 H6327 SP001058618
单位重量 112 mg
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0BSP295H6327XTSA1
型号:BSP295H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥2.88556 |
2000+: | ¥2.716436 |
5000+: | ¥2.587051 |
10000+: | ¥2.467691 |
25000+: | ¥2.462931 |
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