
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.765965 | ¥3.77 |
| 10 | ¥3.281769 | ¥32.82 |
| 100 | ¥2.269742 | ¥226.97 |
| 500 | ¥1.896612 | ¥948.31 |
| 1000 | ¥1.614164 | ¥1614.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 120 mA
漏源电阻 30 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 4.01 mm
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0BS107P
型号:BS107P
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.765965 |
| 10+: | ¥3.281769 |
| 100+: | ¥2.269742 |
| 500+: | ¥1.896612 |
| 1000+: | ¥1.614164 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.77