
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.964521 | ¥6.96 |
| 10 | ¥5.958536 | ¥59.59 |
| 100 | ¥4.140022 | ¥414.00 |
| 500 | ¥3.232777 | ¥1616.39 |
| 1000 | ¥2.627637 | ¥2627.64 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 1.46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.55 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.33 ns
典型接通延迟时间 5.03 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0DMN4800LSSL-13
型号:DMN4800LSSL-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.964521 |
| 10+: | ¥5.958536 |
| 100+: | ¥4.140022 |
| 500+: | ¥3.232777 |
| 1000+: | ¥2.627637 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.96