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DMN6013LFGQ-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN6013LFGQ-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:2000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2000 4.883048 9766.10
6000 4.546309 27277.85
10000 4.37787 43778.70

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 45 A

漏源电阻 9.3 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 55.4 nC

耗散功率 40 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11.7 ns

上升时间 9.9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 27.6 ns

典型接通延迟时间 6.2 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 30 mg

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DMN6013LFGQ-7

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型号:DMN6013LFGQ-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2000+: ¥4.883048
6000+: ¥4.546309
10000+: ¥4.37787

货期:7-10天

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