货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥3.313126 | ¥6626.25 |
6000 | ¥3.084634 | ¥18507.80 |
10000 | ¥2.970388 | ¥29703.88 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 4.01 mm
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0ZVN2110ASTZ
型号:ZVN2110ASTZ
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥3.313126 |
6000+: | ¥3.084634 |
10000+: | ¥2.970388 |
货期:7-10天
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