
货期:(7~10天)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥3.886393 | ¥7772.79 |
| 6000 | ¥3.6818 | ¥22090.80 |
| 10000 | ¥3.409059 | ¥34090.59 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 4.01 mm
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
购物车
0ZVN2110ASTZ
型号:ZVN2110ASTZ
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥3.886393 |
| 6000+: | ¥3.6818 |
| 10000+: | ¥3.409059 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00