IPB200N15N3GATMA1
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- 制造商编号：
- IPB200N15N3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥46.51965 | ￥46.52 |
| 10 | ￥41.764308 | ￥417.64 |
| 100 | ￥34.213911 | ￥3421.39 |
| 500 | ￥29.125694 | ￥14562.85 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB200N15N3GATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
20mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
31nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1820pF @ 75V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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注
IPB200N15N3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPB200N15N3GATMA1
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。
IPB200N15N3GATMA1
型号：IPB200N15N3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥46.51965 |
| 10+： | ￥41.764308 |
| 100+： | ￥34.213911 |
| 500+： | ￥29.125694 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥46.52