货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.37906 | ¥10.38 |
10 | ¥9.180526 | ¥91.81 |
25 | ¥8.619562 | ¥215.49 |
100 | ¥6.255854 | ¥625.59 |
250 | ¥6.032705 | ¥1508.18 |
500 | ¥5.226598 | ¥2613.30 |
1000 | ¥4.448168 | ¥4448.17 |
2500 | ¥4.170158 | ¥10425.39 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 7.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ058N03LS G SP000307424
单位重量 38.760 mg
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0BSZ058N03LSGATMA1
型号:BSZ058N03LSGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.37906 |
10+: | ¥9.180526 |
25+: | ¥8.619562 |
100+: | ¥6.255854 |
250+: | ¥6.032705 |
500+: | ¥5.226598 |
1000+: | ¥4.448168 |
2500+: | ¥4.170158 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.38