货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥34.102637 | ¥34.10 |
10 | ¥30.630593 | ¥306.31 |
100 | ¥24.621857 | ¥2462.19 |
500 | ¥20.229535 | ¥10114.77 |
1000 | ¥16.76157 | ¥16761.57 |
2000 | ¥15.763202 | ¥31526.40 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 690 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 9.6 nC
耗散功率 36.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36.4 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB900CH
单位重量 340 mg
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0TSM60NB900CH C5G
型号:TSM60NB900CH C5G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥34.102637 |
10+: | ¥30.630593 |
100+: | ¥24.621857 |
500+: | ¥20.229535 |
1000+: | ¥16.76157 |
2000+: | ¥15.763202 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥34.10