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DMN6013LFGQ-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN6013LFGQ-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 11.008958 11.01
10 9.694986 96.95
100 7.430455 743.05
500 5.874286 2937.14
1000 4.699286 4699.29

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 45 A

漏源电阻 9.3 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 55.4 nC

耗散功率 40 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11.7 ns

上升时间 9.9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 27.6 ns

典型接通延迟时间 6.2 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 30 mg

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DMN6013LFGQ-7

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型号:DMN6013LFGQ-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥11.008958
10+: ¥9.694986
100+: ¥7.430455
500+: ¥5.874286
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