货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.008958 | ¥11.01 |
10 | ¥9.694986 | ¥96.95 |
100 | ¥7.430455 | ¥743.05 |
500 | ¥5.874286 | ¥2937.14 |
1000 | ¥4.699286 | ¥4699.29 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 55.4 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.7 ns
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27.6 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN6013LFGQ-7
型号:DMN6013LFGQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.008958 |
10+: | ¥9.694986 |
100+: | ¥7.430455 |
500+: | ¥5.874286 |
1000+: | ¥4.699286 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.01