货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.520543 | ¥6301.36 |
5000 | ¥2.400534 | ¥12002.67 |
12500 | ¥2.289763 | ¥28622.04 |
25000 | ¥2.285361 | ¥57134.03 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 56 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 48 S
上升时间 9.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
开发套件 TPS65090EVM
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 40.600 mg
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0CSD17304Q3
型号:CSD17304Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.520543 |
5000+: | ¥2.400534 |
12500+: | ¥2.289763 |
25000+: | ¥2.285361 |
货期:1-2天
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