SIHG100N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG100N60E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES 600V TO247AC
- 渠道：
- digikey
库存 ：388
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥79.665416 | ￥79.67 |
| 10 | ￥66.876025 | ￥668.76 |
| 100 | ￥54.099257 | ￥5409.93 |
| 500 | ￥48.088621 | ￥24044.31 |
| 1000 | ￥41.175785 | ￥41175.78 |
| 2000 | ￥38.77143 | ￥77542.86 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
SIHG100N60E-GE3 同类别型号
注
SIHG100N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHG100N60E-GE3
数据手册PDF。
SIHG100N60E-GE3
型号：SIHG100N60E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：388 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥79.665416 |
| 10+： | ￥66.876025 |
| 100+： | ￥54.099257 |
| 500+： | ￥48.088621 |
| 1000+： | ￥41.175785 |
| 2000+： | ￥38.77143 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥79.67