
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.622601 | ¥12.62 |
| 10 | ¥11.116033 | ¥111.16 |
| 100 | ¥8.519577 | ¥851.96 |
| 500 | ¥6.735312 | ¥3367.66 |
| 1000 | ¥5.388087 | ¥5388.09 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 55.4 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.7 ns
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27.6 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
购物车
0DMN6013LFGQ-7
型号:DMN6013LFGQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.622601 |
| 10+: | ¥11.116033 |
| 100+: | ¥8.519577 |
| 500+: | ¥6.735312 |
| 1000+: | ¥5.388087 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.62