
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.225226 | ¥7.23 |
| 10 | ¥6.134359 | ¥61.34 |
| 100 | ¥4.581643 | ¥458.16 |
| 500 | ¥3.599863 | ¥1799.93 |
| 1000 | ¥2.781714 | ¥2781.71 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 11.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.7 ns
正向跨导(Min) 9 S
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.9 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3025LFG-7
型号:DMN3025LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.225226 |
| 10+: | ¥6.134359 |
| 100+: | ¥4.581643 |
| 500+: | ¥3.599863 |
| 1000+: | ¥2.781714 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.23