货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.474722 | ¥10.47 |
10 | ¥8.616707 | ¥86.17 |
100 | ¥6.701328 | ¥670.13 |
500 | ¥5.679793 | ¥2839.90 |
1000 | ¥4.62671 | ¥4626.71 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 56 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 48 S
上升时间 9.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
开发套件 TPS65090EVM
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 40.600 mg
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0CSD17304Q3
型号:CSD17304Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.474722 |
10+: | ¥8.616707 |
100+: | ¥6.701328 |
500+: | ¥5.679793 |
1000+: | ¥4.62671 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.47