
货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ¥2.010391 | ¥10051.95 |
| 10000 | ¥1.917566 | ¥19175.66 |
| 25000 | ¥1.913918 | ¥47847.95 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIX-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 188 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN1R603PL,L1Q
型号:TPN1R603PL,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 5000+: | ¥2.010391 |
| 10000+: | ¥1.917566 |
| 25000+: | ¥1.913918 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00