货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.134682 | ¥6404.05 |
6000 | ¥2.022311 | ¥12133.87 |
9000 | ¥1.872533 | ¥16852.80 |
30000 | ¥1.842577 | ¥55277.31 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.3 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.2 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.700 mg
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0CSD17313Q2Q1
型号:CSD17313Q2Q1
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.134682 |
6000+: | ¥2.022311 |
9000+: | ¥1.872533 |
30000+: | ¥1.842577 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00