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CSD17313Q2Q1

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD17313Q2Q1
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 2.134682 6404.05
6000 2.022311 12133.87
9000 1.872533 16852.80
30000 1.842577 55277.31

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 5 A

漏源电阻 32 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 10 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 2.1 nC

耗散功率 2.3 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 1.3 ns

正向跨导(Min) 16 S

上升时间 3.9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 4.2 ns

典型接通延迟时间 2.8 ns

外形参数

高度 0.75 mm

长度 2 mm

宽度 2 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 8.700 mg

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CSD17313Q2Q1

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型号:CSD17313Q2Q1

品牌:TI

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥2.134682
6000+: ¥2.022311
9000+: ¥1.872533
30000+: ¥1.842577

货期:1-2天

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