货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥45.119762 | ¥45.12 |
10 | ¥40.551948 | ¥405.52 |
100 | ¥33.222946 | ¥3322.29 |
500 | ¥28.282324 | ¥14141.16 |
1000 | ¥23.852511 | ¥23852.51 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP60R090CFD7 SP001686050
单位重量 2 g
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0IPP60R090CFD7XKSA1
型号:IPP60R090CFD7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥45.119762 |
10+: | ¥40.551948 |
100+: | ¥33.222946 |
500+: | ¥28.282324 |
1000+: | ¥23.852511 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.12