货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.74396 | ¥10.74 |
10 | ¥8.822688 | ¥88.23 |
100 | ¥6.863495 | ¥686.35 |
500 | ¥5.817413 | ¥2908.71 |
1000 | ¥4.738846 | ¥4738.85 |
2000 | ¥4.461145 | ¥8922.29 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIX-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 188 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN1R603PL,L1Q
型号:TPN1R603PL,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.74396 |
10+: | ¥8.822688 |
100+: | ¥6.863495 |
500+: | ¥5.817413 |
1000+: | ¥4.738846 |
2000+: | ¥4.461145 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.74