货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.079287 | ¥5198.22 |
5000 | ¥1.93583 | ¥9679.15 |
12500 | ¥1.864135 | ¥23301.69 |
25000 | ¥1.816383 | ¥45409.58 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 57.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 6.2 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFL024ZTRPBF SP001560488
单位重量 112 mg
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0IRFL024ZTRPBF
型号:IRFL024ZTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.079287 |
5000+: | ¥1.93583 |
12500+: | ¥1.864135 |
25000+: | ¥1.816383 |
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