货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥50.05342 | ¥50.05 |
10 | ¥44.92652 | ¥449.27 |
100 | ¥36.810715 | ¥3681.07 |
500 | ¥31.336301 | ¥15668.15 |
1000 | ¥28.315935 | ¥28315.94 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 100 nC
耗散功率 278 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 54 ns
上升时间 60 ns
典型关闭延迟时间 99 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHW33N60E-GE3
型号:SIHW33N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥50.05342 |
10+: | ¥44.92652 |
100+: | ¥36.810715 |
500+: | ¥31.336301 |
1000+: | ¥28.315935 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥50.05