
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.79095 | ¥2372.85 |
| 6000 | ¥0.758078 | ¥4548.47 |
| 9000 | ¥0.682259 | ¥6140.33 |
| 30000 | ¥0.672182 | ¥20165.46 |
| 75000 | ¥0.631752 | ¥47381.40 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 23.1 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 42 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMP2035UVTQ-7
型号:DMP2035UVTQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.79095 |
| 6000+: | ¥0.758078 |
| 9000+: | ¥0.682259 |
| 30000+: | ¥0.672182 |
| 75000+: | ¥0.631752 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00