货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.967338 | ¥2902.01 |
6000 | ¥0.927136 | ¥5562.82 |
9000 | ¥0.834408 | ¥7509.67 |
30000 | ¥0.822083 | ¥24662.49 |
75000 | ¥0.772638 | ¥57947.85 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 23.1 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 42 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMP2035UVTQ-7
型号:DMP2035UVTQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.967338 |
6000+: | ¥0.927136 |
9000+: | ¥0.834408 |
30000+: | ¥0.822083 |
75000+: | ¥0.772638 |
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