货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.355218 | ¥8.36 |
10 | ¥6.20862 | ¥62.09 |
30 | ¥5.812326 | ¥174.37 |
100 | ¥5.416031 | ¥541.60 |
500 | ¥5.250908 | ¥2625.45 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30.5 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 6.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4166DY-GE3
单位重量 187 mg
购物车
0SI4166DY-T1-GE3
型号:SI4166DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.355218 |
10+: | ¥6.20862 |
30+: | ¥5.812326 |
100+: | ¥5.416031 |
500+: | ¥5.250908 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.36