货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥33.232858 | ¥33.23 |
50 | ¥26.326965 | ¥1316.35 |
100 | ¥22.565636 | ¥2256.56 |
500 | ¥20.058395 | ¥10029.20 |
1000 | ¥17.175021 | ¥17175.02 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 93 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 65 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP075N15N3 G SP000680832
单位重量 2 g
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0IPP075N15N3GXKSA1
型号:IPP075N15N3GXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥33.232858 |
50+: | ¥26.326965 |
100+: | ¥22.565636 |
500+: | ¥20.058395 |
1000+: | ¥17.175021 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥33.23