货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥55.111864 | ¥55.11 |
10 | ¥49.802863 | ¥498.03 |
100 | ¥41.231501 | ¥4123.15 |
500 | ¥35.903847 | ¥17951.92 |
1000 | ¥31.271059 | ¥31271.06 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET III
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 72 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 312 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 29.7 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65.9 ns
典型接通延迟时间 26.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0NVHL072N65S3
型号:NVHL072N65S3
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥55.111864 |
10+: | ¥49.802863 |
100+: | ¥41.231501 |
500+: | ¥35.903847 |
1000+: | ¥31.271059 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥55.11