货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥33.500377 | ¥33.50 |
10 | ¥30.091152 | ¥300.91 |
100 | ¥24.183011 | ¥2418.30 |
500 | ¥19.868447 | ¥9934.22 |
1000 | ¥16.462535 | ¥16462.53 |
2000 | ¥15.327192 | ¥30654.38 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 0.95 mm
长度 5 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
购物车
0TPH2900ENH,L1Q
型号:TPH2900ENH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥33.500377 |
10+: | ¥30.091152 |
100+: | ¥24.183011 |
500+: | ¥19.868447 |
1000+: | ¥16.462535 |
2000+: | ¥15.327192 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥33.50