
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥42.43589 | ¥42.44 |
| 10 | ¥35.606141 | ¥356.06 |
| 100 | ¥28.807825 | ¥2880.78 |
| 500 | ¥25.606416 | ¥12803.21 |
| 1000 | ¥21.925495 | ¥21925.50 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 156 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 45 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 90 ns
高度 0.85 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
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0TK20V60W5,LVQ
型号:TK20V60W5,LVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥42.43589 |
| 10+: | ¥35.606141 |
| 100+: | ¥28.807825 |
| 500+: | ¥25.606416 |
| 1000+: | ¥21.925495 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥42.44