货期:(7~10天)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10 | ¥2.930596 | ¥29.31 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 16.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.4 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.3 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E080GN
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0RQ3E080GNTB
型号:RQ3E080GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
10+: | ¥2.930596 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00