货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥40.945895 | ¥40.95 |
10 | ¥36.781807 | ¥367.82 |
100 | ¥30.136062 | ¥3013.61 |
500 | ¥25.757111 | ¥12878.56 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 211 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 83 S
上升时间 52 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP041N12N3 G SP000652746
单位重量 2 g
购物车
0IPP041N12N3GXKSA1
型号:IPP041N12N3GXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥40.945895 |
10+: | ¥36.781807 |
100+: | ¥30.136062 |
500+: | ¥25.757111 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥40.95