货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.309215 | ¥14.31 |
10 | ¥12.750786 | ¥127.51 |
100 | ¥9.939947 | ¥993.99 |
500 | ¥8.211222 | ¥4105.61 |
1000 | ¥7.202777 | ¥7202.78 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 9 ns
开发套件 -
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD78CN10N G SP001127814
单位重量 4 g
购物车
0IPD78CN10NGATMA1
型号:IPD78CN10NGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.309215 |
10+: | ¥12.750786 |
100+: | ¥9.939947 |
500+: | ¥8.211222 |
1000+: | ¥7.202777 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.31