
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥92.36958 | ¥92.37 |
| 10 | ¥83.401798 | ¥834.02 |
| 25 | ¥79.517175 | ¥1987.93 |
| 100 | ¥65.942247 | ¥6594.22 |
| 250 | ¥62.063291 | ¥15515.82 |
| 500 | ¥58.184336 | ¥29092.17 |
| 1000 | ¥52.365902 | ¥52365.90 |
| 2500 | ¥50.426424 | ¥126066.06 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHF065N60E-GE3
型号:SIHF065N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥92.36958 |
| 10+: | ¥83.401798 |
| 25+: | ¥79.517175 |
| 100+: | ¥65.942247 |
| 250+: | ¥62.063291 |
| 500+: | ¥58.184336 |
| 1000+: | ¥52.365902 |
| 2500+: | ¥50.426424 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥92.37