SIRA00DP-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIRA00DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：7649
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥30.007254 | ￥30.01 |
| 10 | ￥24.906022 | ￥249.06 |
| 100 | ￥19.817649 | ￥1981.76 |
| 500 | ￥16.768912 | ￥8384.46 |
| 1000 | ￥14.228297 | ￥14228.30 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 830 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 140 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 18 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIRA00DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SIRA00DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIRA00DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIRA00DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIRA00DP-T1-GE3
型号：SIRA00DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：7649 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥30.007254 |
| 10+： | ￥24.906022 |
| 100+： | ￥19.817649 |
| 500+： | ￥16.768912 |
| 1000+： | ￥14.228297 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥30.01