货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥105.478848 | ¥105.48 |
10 | ¥95.315245 | ¥953.15 |
100 | ¥78.91037 | ¥7891.04 |
500 | ¥68.71417 | ¥34357.08 |
1000 | ¥59.847851 | ¥59847.85 |
2000 | ¥57.631338 | ¥115262.68 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 96 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 2.8 S
上升时间 72 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP6N50D2
型号:IXTP6N50D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥105.478848 |
10+: | ¥95.315245 |
100+: | ¥78.91037 |
500+: | ¥68.71417 |
1000+: | ¥59.847851 |
2000+: | ¥57.631338 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥105.48