货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.915375 | ¥4788.44 |
5000 | ¥1.814562 | ¥9072.81 |
12500 | ¥1.680167 | ¥21002.09 |
25000 | ¥1.663531 | ¥41588.28 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM220NB06CR
单位重量 372.608 mg
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0TSM220NB06CR RLG
型号:TSM220NB06CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.915375 |
5000+: | ¥1.814562 |
12500+: | ¥1.680167 |
25000+: | ¥1.663531 |
货期:1-2天
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