货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥37.02797 | ¥37.03 |
10 | ¥31.066468 | ¥310.66 |
100 | ¥25.132117 | ¥2513.21 |
500 | ¥22.339222 | ¥11169.61 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 1.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 137 nC
耗散功率 167 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB160N04S4-H1 SP000711252
单位重量 1.600 g
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0IPB160N04S4H1ATMA1
型号:IPB160N04S4H1ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.02797 |
10+: | ¥31.066468 |
100+: | ¥25.132117 |
500+: | ¥22.339222 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.03