SIHG33N65EF-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG33N65EF-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥88.484106 | ￥88.48 |
| 10 | ￥79.939556 | ￥799.40 |
| 100 | ￥66.183194 | ￥6618.32 |
| 500 | ￥57.631351 | ￥28815.68 |
| 1000 | ￥55.772334 | ￥55772.33 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31.6 A
漏源电阻 109 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 171 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
SIHG33N65EF-GE3 同类别型号
注
SIHG33N65EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHG33N65EF-GE3、查询SIHG33N65EF-GE3代理商；
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替代型号
、SIHG33N65EF-GE3
数据手册PDF。
SIHG33N65EF-GE3
型号：SIHG33N65EF-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥88.484106 |
| 10+： | ￥79.939556 |
| 100+： | ￥66.183194 |
| 500+： | ￥57.631351 |
| 1000+： | ￥55.772334 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥88.48