货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.664335 | ¥18.66 |
10 | ¥11.76465 | ¥117.65 |
100 | ¥7.744169 | ¥774.42 |
500 | ¥6.019708 | ¥3009.85 |
1000 | ¥5.464367 | ¥5464.37 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM220NB06CR
单位重量 372.608 mg
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0TSM220NB06CR RLG
型号:TSM220NB06CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.664335 |
10+: | ¥11.76465 |
100+: | ¥7.744169 |
500+: | ¥6.019708 |
1000+: | ¥5.464367 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.66