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SI7370DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7370DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :4211

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 41.369227 41.37
10 37.175635 371.76
25 35.067504 876.69
100 27.350442 2735.04
250 26.64915 6662.29
500 23.142683 11571.34
1000 19.636215 19636.22

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 15.8 A

漏源电阻 11 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 57 nC

耗散功率 5.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7370DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SI7370DP-T1-GE3

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型号:SI7370DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:4211 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥41.369227
10+: ¥37.175635
25+: ¥35.067504
100+: ¥27.350442
250+: ¥26.64915
500+: ¥23.142683
1000+: ¥19.636215

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