货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥50.793234 | ¥50.79 |
10 | ¥45.613529 | ¥456.14 |
100 | ¥37.374853 | ¥3737.49 |
500 | ¥31.816775 | ¥15908.39 |
1000 | ¥26.833417 | ¥26833.42 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 11.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 102 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 62 ns
正向跨导(Min) 93 S
上升时间 66 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF200P223 SP001582440
单位重量 6 g
购物车
0IRF200P223
型号:IRF200P223
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥50.793234 |
10+: | ¥45.613529 |
100+: | ¥37.374853 |
500+: | ¥31.816775 |
1000+: | ¥26.833417 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥50.79