货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥58.729668 | ¥58.73 |
10 | ¥53.04406 | ¥530.44 |
100 | ¥43.915381 | ¥4391.54 |
500 | ¥38.241157 | ¥19120.58 |
1000 | ¥33.306857 | ¥33306.86 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 230 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH26N50P
型号:IXFH26N50P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥58.729668 |
10+: | ¥53.04406 |
100+: | ¥43.915381 |
500+: | ¥38.241157 |
1000+: | ¥33.306857 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥58.73