货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.46394 | ¥12.46 |
10 | ¥11.104237 | ¥111.04 |
100 | ¥8.656772 | ¥865.68 |
500 | ¥7.15128 | ¥3575.64 |
1000 | ¥5.645786 | ¥5645.79 |
2000 | ¥5.269477 | ¥10538.95 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 90 ns
上升时间 76 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 SI4435DYTRPBF SP001573756
单位重量 540 mg
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0SI4435DYTRPBF
型号:SI4435DYTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.46394 |
10+: | ¥11.104237 |
100+: | ¥8.656772 |
500+: | ¥7.15128 |
1000+: | ¥5.645786 |
2000+: | ¥5.269477 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.46