
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.144283 | ¥14.14 |
| 10 | ¥11.529733 | ¥115.30 |
| 100 | ¥8.969477 | ¥896.95 |
| 500 | ¥7.602767 | ¥3801.38 |
| 1000 | ¥6.193339 | ¥6193.34 |
| 2000 | ¥5.830302 | ¥11660.60 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 90 ns
上升时间 76 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 SI4435DYTRPBF SP001573756
单位重量 540 mg
购物车
0SI4435DYTRPBF
型号:SI4435DYTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.144283 |
| 10+: | ¥11.529733 |
| 100+: | ¥8.969477 |
| 500+: | ¥7.602767 |
| 1000+: | ¥6.193339 |
| 2000+: | ¥5.830302 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.14