货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.342118 | ¥1026.35 |
6000 | ¥0.317374 | ¥1904.24 |
9000 | ¥0.263213 | ¥2368.92 |
30000 | ¥0.258542 | ¥7756.26 |
75000 | ¥0.232191 | ¥17414.33 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RU1C002ZP
单位重量 6 mg
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0RU1C002ZPTCL
型号:RU1C002ZPTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.342118 |
6000+: | ¥0.317374 |
9000+: | ¥0.263213 |
30000+: | ¥0.258542 |
75000+: | ¥0.232191 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00