货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥75.844597 | ¥75.84 |
10 | ¥68.508568 | ¥685.09 |
100 | ¥56.720506 | ¥5672.05 |
500 | ¥49.391638 | ¥24695.82 |
1000 | ¥43.0185 | ¥43018.50 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 46 A
漏源电阻 76 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 660 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 34 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH46N65X2
型号:IXFH46N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥75.844597 |
10+: | ¥68.508568 |
100+: | ¥56.720506 |
500+: | ¥49.391638 |
1000+: | ¥43.0185 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥75.84