货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥32.148654 | ¥32.15 |
10 | ¥26.653478 | ¥266.53 |
100 | ¥21.210635 | ¥2121.06 |
500 | ¥17.947921 | ¥8973.96 |
1000 | ¥15.228494 | ¥15228.49 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 56 S
上升时间 66 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD053N08N3 G SP001127818
单位重量 330 mg
购物车
0IPD053N08N3GATMA1
型号:IPD053N08N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥32.148654 |
10+: | ¥26.653478 |
100+: | ¥21.210635 |
500+: | ¥17.947921 |
1000+: | ¥15.228494 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥32.15