TSM2N100CH C5G
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- 制造商编号：
- TSM2N100CH C5G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
- 渠道：
- digikey
库存 ：1834
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.309951 | ￥16.31 |
| 10 | ￥14.530684 | ￥145.31 |
| 25 | ￥13.789322 | ￥344.73 |
| 100 | ￥10.343227 | ￥1034.32 |
| 250 | ￥10.244627 | ￥2561.16 |
| 500 | ￥8.766846 | ￥4383.42 |
| 1000 | ￥7.141534 | ￥7141.53 |
| 2500 | ￥7.043057 | ￥17607.64 |
| 5000 | ￥6.402768 | ￥32013.84 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM2N100CH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.5Ohm @ 900mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
17nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
625pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
77W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-251 (IPAK)
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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注
TSM2N100CH C5G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、TSM2N100CH C5G
数据手册PDF。
TSM2N100CH C5G
型号：TSM2N100CH C5G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：1834 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.309951 |
| 10+： | ￥14.530684 |
| 25+： | ￥13.789322 |
| 100+： | ￥10.343227 |
| 250+： | ￥10.244627 |
| 500+： | ￥8.766846 |
| 1000+： | ￥7.141534 |
| 2500+： | ￥7.043057 |
| 5000+： | ￥6.402768 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.31